重慶科研在硅光領域取得重大突破

西部(重慶)科學城研發(fā)出我國首個自主開發(fā)的180納米成套硅光工藝

2020年06月07日08:52  來源:重慶日報網(wǎng)
 

聯(lián)合微電子中心工程師在實驗室進行工藝測試。(受訪者供圖)

  重慶科研在硅光領域取得重大突破。6月6日,重慶日報記者從重慶高新區(qū)獲悉,位于西部(重慶)科學城西永微電園的聯(lián)合微電子中心有限責任公司,面向全球發(fā)布了我國首個自主開發(fā)的180納米成套硅光工藝設計工具,并建成國內首個硅光芯片全流程封裝測試實驗室。

  這標志著重慶已具備硅光領域全流程自主工藝制造能力,并開始向全球提供硅光芯片流片服務和光電設計自動化設計服務。

  據(jù)悉,硅光是以光子和電子為信息載體的硅基光電子大規(guī)模集成技術,能夠大大提高集成芯片的性能,是大數(shù)據(jù)、人工智能、未來移動通信等新興產(chǎn)業(yè)的基礎性支撐技術,可廣泛應用于大數(shù)據(jù)中心、5G、物聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)。

  硅光芯片是通過標準半導體工藝將硅光材料和器件集成在一起的集成光路,主要由調制器、探測器、無源波導器件等組成,它可以將多種光器件集成在同一硅基襯底上。

  “5G時代,對數(shù)據(jù)傳輸?shù)囊笤絹碓礁撸瑐鹘y(tǒng)的電芯片在信號傳輸模式上遇到帶寬、功耗、延時等一系列瓶頸問題。”聯(lián)合微電子中心相關負責人介紹,此次公司耗時近一年,開發(fā)出國內領先、具有完全自主知識產(chǎn)權的180納米成套硅光工藝,可將光的極高帶寬、超快速率和高抗干擾特性,以及微電子技術在大規(guī)模集成、低成本等方面的優(yōu)勢進行結合,形成一個完整的、具有綜合功能的新型大規(guī)模光電集成芯片。

  此外,硅光芯片自動化封裝也是業(yè)內難題。聯(lián)合微電子中心建成了國內首個硅光芯片全流程封裝測試實驗室。最新的封裝技術可以將光、電、溫控等進行系統(tǒng)集成,為硅光芯片實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和產(chǎn)業(yè)化掃清一大技術障礙。

  比利時皇家科學院院士、根特大學教授羅爾·巴茨表示,此次聯(lián)合微電子中心發(fā)布的180納米成套硅光工藝,標志著該公司具備硅光領域全流程自主工藝制造能力,是硅光領域的一大進步。

  近年來,重慶高新區(qū)依托光電子和微電子領域的創(chuàng)新平臺,在硅光領域率先布局,在科研基地、研發(fā)平臺、人才團隊等方面都加大了投入。據(jù)悉,2018年在西永微電園掛牌成立的聯(lián)合微電子中心,計劃用3至5年時間建設成為光電融合高科技領域的國家級創(chuàng)新平臺,將助力完善重慶市集成電路產(chǎn)業(yè)鏈條,優(yōu)化集成電路產(chǎn)業(yè)體系,為國家新一代信息基礎設施建設、打造成渝地區(qū)雙城經(jīng)濟圈和西部(重慶)科學城提供科技支撐。(首席記者 李星婷)

(責編:陳易、張祎)
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